دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله مدلسازی یک حسگرMEMSاز یک تقویت کنندهMOSFETتفاضلی گیت مشترک
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله مدلسازی یک حسگرMEMSاز یک تقویت کنندهMOSFETتفاضلی گیت مشترک دارای ۱۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله مدلسازی یک حسگرMEMSاز یک تقویت کنندهMOSFETتفاضلی گیت مشترک کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مدلسازی یک حسگرMEMSاز یک تقویت کنندهMOSFETتفاضلی گیت مشترک،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله مدلسازی یک حسگرMEMSاز یک تقویت کنندهMOSFETتفاضلی گیت مشترک :
تعداد صفحات:۱۴
چکیده:
د راین مقاله طراحی ، مدل سازی و امکان پذیر بودن یک سنسورMEMS برر مننراییک ترانزیستور اثر میدانMOSFET( در حالت گیت مشترک بصورت تقویت کننرده تفاضرلی ارائه شده است.یک جفت ترانزیستورMOSFET مجاور , الکترود گیرت مشرترک را بره اشرتراک می گذارد که در پیکربندی پیچشی بر بخش های گیت ترانزیستور , شناور شده است. چر خش این گیت مشترک , فاصله گذاری نسنی بین راس های گیت و لایه فرعی را تغییرر می دهد وظرفیت ازن گیت هر ترانزیستور را هم تغییر می دهد .اتصال هر جفت ترانزیستور در یرک پیکربندی تفاضلی , یک جریان تفاضلی در طول جفت ترانزیسرتورها تولیرد می کند. اینسنسور تقویت کنندگی و ترانس کنداکتور )تقویت مغناطیسی( را به عنوان یک حرکت از گیتMEMS مجتمع سازی می کند و مقاومت ازن گیت مربوطه و جریان درین هر ترانزیستور رامعادل سازی می کند
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
