دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله کاهش اتلاف توان و بهبود مشخصه انتقالی در مدار وارونگرCMOS با استفاده از تکنیک های متفاوت اندازه ترانزیستور در مقیاس های نانو و غیر نانوو کاهش ولتاژ منبع تغذیه
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله کاهش اتلاف توان و بهبود مشخصه انتقالی در مدار وارونگرCMOS با استفاده از تکنیک های متفاوت اندازه ترانزیستور در مقیاس های نانو و غیر نانوو کاهش ولتاژ منبع تغذیه دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله کاهش اتلاف توان و بهبود مشخصه انتقالی در مدار وارونگرCMOS با استفاده از تکنیک های متفاوت اندازه ترانزیستور در مقیاس های نانو و غیر نانوو کاهش ولتاژ منبع تغذیه کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله کاهش اتلاف توان و بهبود مشخصه انتقالی در مدار وارونگرCMOS با استفاده از تکنیک های متفاوت اندازه ترانزیستور در مقیاس های نانو و غیر نانوو کاهش ولتاژ منبع تغذیه،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله کاهش اتلاف توان و بهبود مشخصه انتقالی در مدار وارونگرCMOS با استفاده از تکنیک های متفاوت اندازه ترانزیستور در مقیاس های نانو و غیر نانوو کاهش ولتاژ منبع تغذیه :
تعداد صفحات:۹
چکیده:
امروزه ناحیه تمرکز اصلی در صنعتVLSIاتلاف توان و مصرف توان تراشه میباشد فناوری اکسید – فلز – نیمه هادی های مکمل یاCMOSیک فناوری برجسته در صنعت جهانی مدارهای مجتمعIC است و به عنوان محصولاتی با اتلاف توان کم و چگالی زیاد و وسیله سوییچ کنندگی نسبتا ایده آل شناخته شده است . این ویژگی سبب شده که این مدارها دارای محاسن متمایزی نسبت به دیگر فناوری ها همچونGaAs و nMOS باشند . هم اکنون صنعت به سوی نانوتکنولوژی درحال حرکت است.این مقاله منابع اصلی اتلاف توان دینامیکی و مشخصه انتقالی را مورد تجدید قرار میدهد و برای حل این مشکل از تکنیکهای متفاوت اندازه ترانزیستوردر مقیاس نانو و کاهش من بع تغذیه بهره گرفته است
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
