مقاله طراحی و تحلیل سوئیچ خازنی RF MEMS کم تلف در باند V

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله طراحی و تحلیل سوئیچ خازنی RF MEMS کم تلف در باند V دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله طراحی و تحلیل سوئیچ خازنی RF MEMS کم تلف در باند V  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی و تحلیل سوئیچ خازنی RF MEMS کم تلف در باند V،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله طراحی و تحلیل سوئیچ خازنی RF MEMS کم تلف در باند V :

تعداد صفحات:۹

چکیده:

در این مقاله تلاش و تحلیل یک سو هیچ خازن این RF MEMS موازی کم تلف به روی موجبر هم‌ صفحه در باند فرکانسی V ( GHz60 – 40 ) ارائه شده است. مکانیسم تحریکی سوئیچ به صورت الکترواستاتیکی است. ابتدا موجبر هم‌سطح برای داشتن امپدانس مشخص ۵۰ اهم طراحی شده سپس هیچ مورد نظر طراحی و پس از انتخاب ابعاد آن ابتدا توسط نرم‌افزار CoventorWare سوئیت پنج الکترومکانیکی و گذرا شده و ولتاژ پایین کشنده و زمان سوئیچینگ آن به‌دست‌آمده در ادامه سوییس در دو حالت روشن و خاموش به کمک مدل سازی در نرم‌افزار HFSS اینو چی شده و پارامترهای مهم یک سوئیچ از جمله تلفات بازگشتی و تلفات داخلی در حالت روشن و ایزولاسیون در حالت خاموش برای باند فرکاانسی V استخراج کرده است. در این مقاله نشان داده شده که سوئیت طراحی شده دارای تلفات پایین، ایزولاسیون بالا و تلفات بازگشتی بسیار ناچیز در باند فرکانسی V می‌باشد.