دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله ساخت افزاره جدید Idmos براساس بکاربردن p-well مورد استفاده در سطح فوقانی افزاره و تاثیر آن برجریان عبوری و ولتاژ شکست ترانزیستور
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله ساخت افزاره جدید Idmos براساس بکاربردن p-well مورد استفاده در سطح فوقانی افزاره و تاثیر آن برجریان عبوری و ولتاژ شکست ترانزیستور دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله ساخت افزاره جدید Idmos براساس بکاربردن p-well مورد استفاده در سطح فوقانی افزاره و تاثیر آن برجریان عبوری و ولتاژ شکست ترانزیستور کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله ساخت افزاره جدید Idmos براساس بکاربردن p-well مورد استفاده در سطح فوقانی افزاره و تاثیر آن برجریان عبوری و ولتاژ شکست ترانزیستور،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله ساخت افزاره جدید Idmos براساس بکاربردن p-well مورد استفاده در سطح فوقانی افزاره و تاثیر آن برجریان عبوری و ولتاژ شکست ترانزیستور :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
دراین گزارش قصد داریم تا در ابتدا مراحل ساخت افزاره ldmos را تشریح کرده و در ادامه تاثیر عوامل ساخت در ناحیه n-drift را درا یجاد ولتاژ شکست بالا مورد بررسی قرار دهیم دراین افزاره می بینیم نحوه ساخت و طراحی بگونه ای انجام شدها ست که همزمان با ایجاد یک ولتاژ شکست بالا مقاومت حالت روشن کم بوده و جریان دارای مقدار قابل قبولی خواهد بود.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
