مقاله بررسی و مقایسه روشهای ساخت ترانزیستور تک الکترون

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی و مقایسه روشهای ساخت ترانزیستور تک الکترون دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی و مقایسه روشهای ساخت ترانزیستور تک الکترون  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی و مقایسه روشهای ساخت ترانزیستور تک الکترون،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی و مقایسه روشهای ساخت ترانزیستور تک الکترون :

تعداد صفحات:۹

چکیده:

اخیراً، ترانزیستورهای تک الکترون، بدلیل حساسیت بالای خود به بار الکتریکی، مصرف پایین برق و چگالی بالای مجتمعسازی کاربردهای گستردهای پیدا کردند. یکی از اولین کاربردهایSET بصورت سنسور بار است که با دستگاههای میکروسکوپ قابل اندازهگیری می- باشد. این اندازهگیریها نیاز به حساسیت کافی برای تشخیص حرکت بار، به اندازه یک الکترون دارد. برای قابل اعتماد و تجدیدپذیر بودن چنین آزمایشاتی، فرایند ساخت بسیار مهم میباشد. در این مقاله، ما روشهای ساخت و برخی نتایج تجربی را بررسی و مقایسه مینماییم. هریک از روشهای بررسی شده مزایای منحصر بفرد خود را دارا میباشد که بسته به نیاز، فرایند مورد نظر انتخاب میگردد. برای مثال، روش تبخیر دو زاویهای، روشی خود تنظیم؛ روشEBL ساده، انعطافپذیر و قابل کنترل میباشد، روشFIB تونلزنی قوی و تولید یکنواخت در مقیاس نانو دارد PADOX خود تنظیم و ساده است. روشSTM که برای ساخت انواعSET میرود فرایند سریعی دارد و قطعه میتواند در دمای اتاق عمل کند. همچنین در روشAFM میتوان موقعیت و اندازه جزیره را کنترل نمود، روش نقطه کوانتومی، خود تنظیم و خود آرا است و روش دیوار کناری قابلیت مجتمعسازی و ساخت در اندازههای کوچک و چگالی بستهبندی بالا را دارد.