مقاله تقویت کننده حسی سرعت بالا و کم توان برای سلولهای SRAM با استفاده از تکنولوژی نانولوله های کربنی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله تقویت کننده حسی سرعت بالا و کم توان برای سلولهای SRAM با استفاده از تکنولوژی نانولوله های کربنی دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله تقویت کننده حسی سرعت بالا و کم توان برای سلولهای SRAM با استفاده از تکنولوژی نانولوله های کربنی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله تقویت کننده حسی سرعت بالا و کم توان برای سلولهای SRAM با استفاده از تکنولوژی نانولوله های کربنی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله تقویت کننده حسی سرعت بالا و کم توان برای سلولهای SRAM با استفاده از تکنولوژی نانولوله های کربنی :

تعداد صفحات:۶

چکیده:

این مقاله به شبیه سازی دو نوع تقویت کننده حسی sense amplifier نوع ولتاژ با ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی می پردازد شبیه سازی ها با استفاده ازمدل CNTFET ارائه شده توسط دانشگاه استنفورد انجام شده است برای مقایسه این دو تقویت کننده حسی با استفاده از مدل پیشگوی ۳۲nm در تکنولوژی cmos نیز شبیه سازی شده است نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزار hspice نشان میدهد که درهر دو تقویت کننده حسی شکل موج خروجیدر تکنولوژی CNTFET نسبت به تکنولوژی CMOS دارای جهش کمتر می باشد و توان و تاخیر بهبود قابل توجهی یافته است در مورد تقویت کننده ی حسی ولتاژ رایج توان و تاخیر در تکنولوژی CNTFET نسبت به CMOS به ترتیب ۶۵% و ۴۱% درصد بهبود یافته است. درمورد تقویت کننده نوع دوم که از نظر تاخیر نسبت به نوع رایج بهبود یافته است نیز توان و تاخیر در تکنولوژی CNTFET به ترتیب ۵۰ و ۸% کمتر است.