مقاله بررسی جذب گاززنون روی سطح گرافن نقص دار با استفاده از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی جذب گاززنون روی سطح گرافن نقص دار با استفاده از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی جذب گاززنون روی سطح گرافن نقص دار با استفاده از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی جذب گاززنون روی سطح گرافن نقص دار با استفاده از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی جذب گاززنون روی سطح گرافن نقص دار با استفاده از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی :

تعداد صفحات:۱۲

چکیده:

یکی از کاربردهای مهم گرافن استفاده از آن برای ساخت حسگرهای گازی است چون گرافن های تولید شده در آزمایشگاه معمولا نقص دار هستند بنابراین دراین پژوهش با روش شبیه سازی دینامیک مولکولی جذب هم دمای گاز زنون Xe روی گرافن با نقص استون – ولز بررسی شده است دراین شبیه سازی ازپتانسیل بس ذره ای برتر برای شبیه سازی برهم کنش کربن -c کربن که درصفحه گرافن و پتانسیل دو ذره ای لنارد – جونز برای شبیه سازی برهم کنش Xe-C Xe-Xe استفاده شده است دراین مقاله تابع توزیعی شعاعی میزان پوشش جذب گرمای جذب و انرژی بستگی گازهای جذب شده دردماهای بین ۹۰ k تا ۱۳۰k و فشارهای مختلف اندازه گیری شده اند نتیجه ها نشان میدهد که این ماده می تواندنامزد مناسبی برای جذب گاز xe باشد.