مقاله افزاره های سیلسیمی تحت تنشSiGe/ بدون تنش برای بهبود پارامترهای افزاره های اثر میدانی بر روی عایق

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله افزاره های سیلسیمی تحت تنشSiGe/ بدون تنش برای بهبود پارامترهای افزاره های اثر میدانی بر روی عایق دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله افزاره های سیلسیمی تحت تنشSiGe/ بدون تنش برای بهبود پارامترهای افزاره های اثر میدانی بر روی عایق  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله افزاره های سیلسیمی تحت تنشSiGe/ بدون تنش برای بهبود پارامترهای افزاره های اثر میدانی بر روی عایق،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله افزاره های سیلسیمی تحت تنشSiGe/ بدون تنش برای بهبود پارامترهای افزاره های اثر میدانی بر روی عایق :

تعداد صفحات:۸

چکیده:

به منظور بهبود افزاره های اثر میدانی بر روی عایق SOI)سیلسیم تحت تنشSi0.8Ge0.2بدون تنشStrained Si/ Si0.8Ge0.2 به عنوان جایگزینی برای سیلسیم مورد بررسی قرار گرفته است . به لحاظ قابلیت حرکت بالای الک ترون در سیلسیم تنش یافته کارایی افزاره در حوزهRFبهبود می یابد نتایج حاصل از شبیه سازی در این مقاله حاکی از آن است که فرکانس قطع افزاره سیلسیمی تحت تنش تا حدود % ۱۹ نسبت به ساختار مشابه بدون تنشبهبود می یابد.با این وجود معلوم شده است که افزاره های سیلسیمی تحت تنش/ Si0.8Ge0.2بدون تنش بر روی عایق تک گیتیIoff نسبتا بزرگی دارند . از اینروافزاره های سیلسیمی تحت تنش/Si0.8Ge0.2 بدون تنش بر روی عایق دو گیتی مورد بررسی قرار گرفته است. در افزاره دو گیتی با طول کانال برابر با افزاره تکگیتی، به علت افزایش کنترل گیت بر روی کانال، جریان نشتی کاهش یافته است. بعلاوه ه پارامترهایDC و ACافزاره های سیلسیمی تحت تنش/Si0.8Ge0.2 ترانزیسستور تک گیتی ونیز ترانزیستور دوگیتی مورد بررسی قرار گرفته شده است و با افزاره های سیلسیم بدون تنش مشابه مقایسه شده است