مقاله بررسی میزان تراکم ناخالصی درآشکارساز PV-InSb برای داشتن بیشینه مقاومت


در حال بارگذاری
مقاله بررسی میزان تراکم ناخالصی درآشکارساز PV-InSb برای داشتن بیشینه مقاومت
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
3 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی میزان تراکم ناخالصی درآشکارساز PV-InSb برای داشتن بیشینه مقاومت دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی میزان تراکم ناخالصی درآشکارساز PV-InSb برای داشتن بیشینه مقاومت  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی میزان تراکم ناخالصی درآشکارساز PV-InSb برای داشتن بیشینه مقاومت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی میزان تراکم ناخالصی درآشکارساز PV-InSb برای داشتن بیشینه مقاومت :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

مادراین مقاله با شبیه سازی و ساخت سه نوع فتودیود مادون قرمز InSb نشان میدهیم که باانتخاب تراکم ناخالصی ۲×۱۰ ۱۵ Cm-3 برای نوع n- و ۱×۱۰ ۱۸cm-3 برای نوع -p حساسه بیشینه مقاومت خود را نسبت به تراکم های دیگر دارد دراین شرایط بیشینه مقاومت از بایاس صفر تاحدود ۳۰۰-mV وجود دارد که بازه مجاز بایاس آشکارساز درشرایط بهینه را نشان میدهد دراین حالت حساسه ای با حاصلضرب مقاومت درمساحت ۱/۴×۱۰ ۵QCM2 دربایاس ۵۰-mV ساخته شده است.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.