دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله روش جدید افزایش خطسانی مدارTransconductor با محدوده تنظیم وسیع
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله روش جدید افزایش خطسانی مدارTransconductor با محدوده تنظیم وسیع دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله روش جدید افزایش خطسانی مدارTransconductor با محدوده تنظیم وسیع کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله روش جدید افزایش خطسانی مدارTransconductor با محدوده تنظیم وسیع،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله روش جدید افزایش خطسانی مدارTransconductor با محدوده تنظیم وسیع :
تعداد صفحات:۸
چکیده:
دراین مقاله یک بلوک transconductor خطی و قابل تنظیم جدید معرفی شده است درطرح پیشنهادی با ایجاد ولتاژ بایاس مناسب توسط یک مدارجانبی خطسانی بلوک Gm ارایه شده بخوبی بهبود پیدا کرده است شبیه سازی های این مدار درتکنولوژی m0/18 و ولتاژ تغذیه ۱/۸V انجام شده است مقدار بهره جریان به ولتاژ این جریان از ۱۰۰ تا ۷۱۴A/V قابلتنظیم است شبیه سازی های صورت گرفته نشان میدهد که مقدار THD ولتاژ خروجی درتمامی م حدوده ی تنظیم و تمامی گوشه ها و شرایط دمایی کمتر از ۶۰-dB است لازم به ذکر است که این نتایج بازای سوئینگ ورودی خروجی ۱Vp-p و درفرکانس ۱۰MHz بدست آمده اند توان متوسط بلوک ارایه شده درحدود ۱mW است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
