مقاله سنتز لایه نازک نانو ساختار اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش سل-ژل و بررسی تاثیر غلظت سل و پارامترهای لایه نشانی چرخشی بر روی خواص الکتریکی و نورد آن

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله سنتز لایه نازک نانو ساختار اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش سل-ژل و بررسی تاثیر غلظت سل و پارامترهای لایه نشانی چرخشی بر روی خواص الکتریکی و نورد آن دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله سنتز لایه نازک نانو ساختار اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش سل-ژل و بررسی تاثیر غلظت سل و پارامترهای لایه نشانی چرخشی بر روی خواص الکتریکی و نورد آن  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله سنتز لایه نازک نانو ساختار اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش سل-ژل و بررسی تاثیر غلظت سل و پارامترهای لایه نشانی چرخشی بر روی خواص الکتریکی و نورد آن،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله سنتز لایه نازک نانو ساختار اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش سل-ژل و بررسی تاثیر غلظت سل و پارامترهای لایه نشانی چرخشی بر روی خواص الکتریکی و نورد آن :

تعداد صفحات:۱۳

چکیده:

لایه نازک نانو ساختار اکسید ایندیم قلع (ITO) با شفافیت بالا در محدوده نور مرئی و هدایت مناسب به روش لایه نشانی چرخشی تهیه شد. جهت ایجاد لایه های مورد نظر، محلول سل اولیه شامل محلولهای کلرید اینیدم و کلرید قلع به همراه حلال های مناسب آماده شد. پس از مخلوط کردن محلول های و همزدن آن، سل ایجاد شده با روش لایه نشانی چرخشی بر روی زیر لایه در سرعت و مدت زمان معین نشانده شد. سپس لیایه ایجا شده در دمای ۱۵۰ درجه سانتیگراد خشک شده و تحت عملیات آنیل در دمای ۵۰۰ درجه سانتیگراد قرار گرفت. جهت بررسی نوع فازها و آنالیز شیمیایی از روش پراش پرتو اشعه نشر UV-Vis Spectrophotometer استفاده شد. آنالیز XRD نشان م یدهد که نانو ذرات اکسید ایندیم قلع دارای فاز مکعبی بیکسبیت می باشند. تصاویر FESEM بیانگر فیلم های کریستالین اکسید ایندیم قلع با اندازه ذرات کریستالی ۱۷-۴۰ نانو متر می باشند. همچنین نتایج نشان میدهد که فیلم های حاصل دارای شفافیت بالای ۸۵% د رمحدوده نورد مرئی می باشند و کمترین مقاومت در غلظت سل ۰/۲ مولار و سرعت لایه نشانی ۳۰۰۰rpm حاصل شده است.