مقاله بررسی تاثیر اعمال ارتعاض مکانیکی روی سطح شیبدار بر ریز ساختار کامپوزیت های Al356-SiCp


در حال بارگذاری
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
3 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی تاثیر اعمال ارتعاض مکانیکی روی سطح شیبدار بر ریز ساختار کامپوزیت های Al356-SiCp دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی تاثیر اعمال ارتعاض مکانیکی روی سطح شیبدار بر ریز ساختار کامپوزیت های Al356-SiCp  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی تاثیر اعمال ارتعاض مکانیکی روی سطح شیبدار بر ریز ساختار کامپوزیت های Al356-SiCp،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن مقاله بررسی تاثیر اعمال ارتعاض مکانیکی روی سطح شیبدار بر ریز ساختار کامپوزیت های Al356-SiCp :

تعداد صفحات:۱۳

چکیده:

در سالهای اخیر استفاده از سطح شیبدار به عنوان یک روش ساده و اقتصادی برای ایجاد ساختار گلبولی در آلیاژ های مختلف مطرح شده است، اما در این فرایند نیاز به عملیات ذوب مجدد جزئی در ناحیه نیمه جامد می باشد. از طرفی برای ایجاد ساختار گلبولی، می توان از فرایند مرتعش نمودن مذاب در حین انجماد استفاده نمود که فرایندی زمان بر است. روش سطح شیبدار لرزان تلفیقی از دو روش سطح شیبدار و ارتعاش است که در آن بدون نیاز به عملیات ذوب مجدد جزئی ساختار گلبولی مستقیما حاصل می شود. در تحقیق حاضر برای اولین بار از فرایند سطح شیبدار لرزان جهت فراوری کامپوزیت A356-SiCp استفاده شد. بدین منظور شمش کامپوزینی A356-10%SiCp با اندازه میانگین ذرات ۷۶ میکرومتر که از روش کامپوکستینگ تهیه شده بود ذوب مجدد شده و پس از عبور از روی سطح شیبدار در دو حالت ساکن و مرتعش شده در قالب فلزی ریخته گری شد. نتایج نشان داد که در کامپوزیت های تولید شده با استفاده از روش سطح شیبدار ساکن تنها پس از عملیات حرارتی ذوب مجدد ساختار گلبولی حاصل می شود. اما در روش سطح شیبدار لرزان ساختار گلبولی مستقیما و بدون نیاز به عملیات ذوب مجدد ایجاد می شود. همچنین ایجاد ارتعاش باعث ریزشدن ساختار و توزیع یکنواخت تر ذرات SiC در زمینه می شود.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.