مقاله یک سلول ۹ SRAM ترانزیستوری کم مصرف باسرعت و پایداری بهبود یافته

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله یک سلول ۹ SRAM ترانزیستوری کم مصرف باسرعت و پایداری بهبود یافته دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله یک سلول ۹ SRAM ترانزیستوری کم مصرف باسرعت و پایداری بهبود یافته  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله یک سلول ۹ SRAM ترانزیستوری کم مصرف باسرعت و پایداری بهبود یافته،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله یک سلول ۹ SRAM ترانزیستوری کم مصرف باسرعت و پایداری بهبود یافته :

تعداد صفحات:۹

چکیده:

توان مصرفی در سلولهایSRAMشامل دو مؤلفه توان نشتی (استاتیک) و توان دینامیکی است که با توجه به حجم زیاد این سلولها در ریزپردازنده های امروزی، توان نشتی در این سلولها اهمیت زیادی دارد. پایداری داده و حاشیه نویزاستاتیک SNM در سلول SRAM ها نیز با توجه به کاهش ولتاژ تغذیه هر روز اهمیت بیشتری پیدا میکند. در کنار توان مصرفی و پایداری داده، تاخیر خواندن و نوشتن سلولهای SRAM در بهبود سرعت و کارایی ریزپردازنده ها تاثیر دارد.در این مقاله یک سلول ۹ ترانزیستوری جدید پیشنهاد شده است که با استفاده از فقط یک خط بیت جهت خواندن و نوشتن داده ها و هم چنین با جداسازی مسیر خواندن از مسیر نوشتن داده توانسته است همه پارامترهای فوق را بهبود دهدشبیه سازیهای انجام شده نشان میدهد که در مقایسه با سلول ۶ ترانزیستوری معمولی و سه نوع سلول۷ ، ۸ و ۹ ترانزیستوری که قبلاً معرفی شدهاند، میزان بهبود توان نشتی ۴۰ الی ۵۳ درصد، میزان بهبود توان دینامیکی ۱۷ الی ۴۹ درصد، و میزان بهبود سرعت نوشتن بین ۴۸ الی ۶۸ درصد است. تاخیر خواندن این سلول با تاخیر خواندن سلول ۹ ترانزیستوری قبلی یکسان است ولی بین ۳۳ تا ۴۱ درصد بهتر از تاخیر خواندن سایر سلولها است