مقاله بررسی تاثیر درصد مولی ژرمانیوم و ضخامت لایه کلاهک سیلیسیم بر روی مشخصات الکتریکی افزاره ماسفت با ساختار نا متجانس سیلیسیم / سیلیسیم -ژرمانیوم تحت کرنش ابعاد نانو متری

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی تاثیر درصد مولی ژرمانیوم و ضخامت لایه کلاهک سیلیسیم بر روی مشخصات الکتریکی افزاره ماسفت با ساختار نا متجانس سیلیسیم / سیلیسیم -ژرمانیوم تحت کرنش ابعاد نانو متری دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی تاثیر درصد مولی ژرمانیوم و ضخامت لایه کلاهک سیلیسیم بر روی مشخصات الکتریکی افزاره ماسفت با ساختار نا متجانس سیلیسیم / سیلیسیم -ژرمانیوم تحت کرنش ابعاد نانو متری  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی تاثیر درصد مولی ژرمانیوم و ضخامت لایه کلاهک سیلیسیم بر روی مشخصات الکتریکی افزاره ماسفت با ساختار نا متجانس سیلیسیم / سیلیسیم -ژرمانیوم تحت کرنش ابعاد نانو متری،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی تاثیر درصد مولی ژرمانیوم و ضخامت لایه کلاهک سیلیسیم بر روی مشخصات الکتریکی افزاره ماسفت با ساختار نا متجانس سیلیسیم / سیلیسیم -ژرمانیوم تحت کرنش ابعاد نانو متری :

تعداد صفحات:۶

چکیده:

در این مقاله عملکرد تراتزیستور p-MOSFET با ساختار سیلیسیم/سیلیسیم – ژرمانیوم تحت کرنش (Strain) بررسی شده است. در این ساختار قابلیت حرکت حفره ها بدلیل اعمال کرنش در لایه سیلیسیم – ژرمانیوم و نیز تشکیل چاه پتانسیلی در محل فصل مشترک سیلیسیم / سیلیسیم ژرمانیوم افزایش قابل توجهی می یابد. از آنجا که در این افزاره دو لایه وارون نقش کانال را ایفا می کنند دو ولتاژ آستانه وجود خواهد داشت. نشان داده ایم که افزایش درصد مولی ژرمانیوم در لایه سیلیسیم ژرمانیوم موجب افزایش اختلاف دو ولتاژ آستانه می گردد. افزایش درصد مولی ژرمانیوم موجب افزایش خازن گیت و نیز جریان گیت می شود. همچنین کاهش ضخامت لایه کلاهک سیلیسیم موجب افزایش هدایت انتقالی سیگنال کوچک گیت و خازن گیت می گردد.