مقاله سنتز اصلاح نقطه کوانتومی CdSe و بررسی رفتار نوری غیر خطی به روش روبش -Z در مقایسه با نقطه کوانتومی هسته – پوسته CdSe/ZnS

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله سنتز اصلاح نقطه کوانتومی CdSe و بررسی رفتار نوری غیر خطی به روش روبش -Z در مقایسه با نقطه کوانتومی هسته – پوسته CdSe/ZnS دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله سنتز اصلاح نقطه کوانتومی CdSe و بررسی رفتار نوری غیر خطی به روش روبش -Z در مقایسه با نقطه کوانتومی هسته – پوسته CdSe/ZnS  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله سنتز اصلاح نقطه کوانتومی CdSe و بررسی رفتار نوری غیر خطی به روش روبش -Z در مقایسه با نقطه کوانتومی هسته – پوسته CdSe/ZnS،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله سنتز اصلاح نقطه کوانتومی CdSe و بررسی رفتار نوری غیر خطی به روش روبش -Z در مقایسه با نقطه کوانتومی هسته – پوسته CdSe/ZnS :

تعداد صفحات:۶

چکیده:

از مهمترین عوامل جهت پایدار کردن نقطه کوانتومی ها در مقابل رنگ بری نوری و افزایش طول عمر نشر و توزیع اندازه ایی باریک آنها انتخاب روش مناسب تولید، نسبت مولی مناسب، کنترل سرعت واکنش و شرایط دمایی مطلوب می باشد. با روش آلی- فلزی دما بالا و نسبت مولی Cd/Se=0.53 در دمای ۲۹۰ درجه سانتی گراد و ۳۶۰ درجه سانتی گراد نقطه کوانتومی های CdSe حاصل شده اند که نتایج طیف uv-vis و HNMR بیانگر توزیع اندازه ایی باریک و پایداری نقطه کوانتومی ها که نتیجه ایی از جذب مناسب لیگاندهای TOPO/TOP روی سطح نقطه کوانتومی و بسته شدن پیوندهای غیر اشباع روی سطح آنها می باشد را بیان می کند. همچنین ضریب شکست غیر خطی مرتبه دوم نقطه کوانتومی CdSe و CdSe/ZnS با روش روبش Z- در سه شدت ۱۵، ۲۵ ، ۵۰ میلی وات منفی و از مرتبه (در متن اصلی موجود می باشد) می باشد که بیانگر رفتار خود واگرایی است و در نقطه کوانتومی هسته – پوسته CdSe/Zn به علت جایگزیدگی الکترون ها رفتار غیر خطی در شدت پایین مشاهده نشده است.