مقاله ایجاد و بررسی پوشش سرامیکی SiC بر سطح قطعات گرافیتی به منظور افزایش مقاومت به اکسیداسیون در دماهای بالا

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله ایجاد و بررسی پوشش سرامیکی SiC بر سطح قطعات گرافیتی به منظور افزایش مقاومت به اکسیداسیون در دماهای بالا دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله ایجاد و بررسی پوشش سرامیکی SiC بر سطح قطعات گرافیتی به منظور افزایش مقاومت به اکسیداسیون در دماهای بالا  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله ایجاد و بررسی پوشش سرامیکی SiC بر سطح قطعات گرافیتی به منظور افزایش مقاومت به اکسیداسیون در دماهای بالا،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله ایجاد و بررسی پوشش سرامیکی SiC بر سطح قطعات گرافیتی به منظور افزایش مقاومت به اکسیداسیون در دماهای بالا :

تعداد صفحات:۸

چکیده:

به منظور افزایش مقاومت به اکسیداسیون قطعات گرافیتی در دماهای بالا از پوشش های سرامیکی دیرگداز استفاده می شود. در پژوهش حاضر نحوه ایجاد پوششی بر پایه سیلیکون کارباید (SiC) به روش Pack Cementation مورد بررسی قرار گرفت . بطوریکه از واکنش مستقیم سیستم پودری (SiC50% ،Al2O320%, Si30%) با زیرپایه کربنی در دمای ۱۷۰۰°C و به مدت سه ساعت تحت شرایط اتمسفر آرگون پوششی یکنواخت از SiC بر سطح قطعات ایجاد شد. در این تحقیق قطعات پوشش داده شده در دماهای بالا ۹۰۰-۱۳۵۰° C و در حضور اکسیژن تست شدند و مشخص شد که تنها حضور پوشش باعث کاهش اکسیداسیون از ۵۶/۶۳% وزنی به ۶/۴۳% وزنی در دمای °۱۱۰۰C فاز شیشه ای در سطح پوشش بوجود خواهد آمد که جریان ویسکوز آن سبب پر شدن خلل فرج موجود در سطح شده و از نزدیک شدن اکسیژن به زیرپایه کربنی ممانعت کرده و مقاومت قطعه را در برابراکسیداسیون افزایش می دهد. چنانکه طبق نتایج حاصل، میزان اکسیداسیون نمونه های پوشش داده شده در دمای ۱۳۵۰C پس از ۱۵۰ دقیقه به حدود۳/۶% وزنی کاهش یافت و این در حالیست که نمونه بدون پوشش در دمای °۱۳۵۰C پس از این زمان کاملاً اکسید شده و از بین رفت.