دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله بررسی اثر زمان واهلش بین ترازی بر احتمال اشغال الکترون لایه ویتینگ، تراز پایه و تراز برانگیخته در لیزرهای نقطه کوانتومی خودسامانی InGaAs/GaAs
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله بررسی اثر زمان واهلش بین ترازی بر احتمال اشغال الکترون لایه ویتینگ، تراز پایه و تراز برانگیخته در لیزرهای نقطه کوانتومی خودسامانی InGaAs/GaAs دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله بررسی اثر زمان واهلش بین ترازی بر احتمال اشغال الکترون لایه ویتینگ، تراز پایه و تراز برانگیخته در لیزرهای نقطه کوانتومی خودسامانی InGaAs/GaAs کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی اثر زمان واهلش بین ترازی بر احتمال اشغال الکترون لایه ویتینگ، تراز پایه و تراز برانگیخته در لیزرهای نقطه کوانتومی خودسامانی InGaAs/GaAs،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله بررسی اثر زمان واهلش بین ترازی بر احتمال اشغال الکترون لایه ویتینگ، تراز پایه و تراز برانگیخته در لیزرهای نقطه کوانتومی خودسامانی InGaAs/GaAs :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
پدیده لیزردهی دوحالته به آسانی در لیزرهای نقطه کوانتومی خود سامانی مشاهده می شود با حل معادلات آهنگ لیزر نقطه کوانتومی InGaAs/GaAs به روش رانگ – کوتا مرتبه چهارم و تحلیل آن اثر طول عمر واهلش بین ترازی را براحتمال اشغال الکترون لایه ویتینگ (WL) ، تراز پایه و تراز برانگیخته مورد بررسی قرار می دهیم.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
