مقاله رشد لایه کیفی SiO2 برروی بستر InSb در فشار و دمای پایین به منظور ساخت آشکارسازهای مادون قرمز


در حال بارگذاری
مقاله رشد لایه کیفی SiO2 برروی بستر InSb در فشار و دمای پایین به منظور ساخت آشکارسازهای مادون قرمز
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
2 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله رشد لایه کیفی SiO2 برروی بستر InSb در فشار و دمای پایین به منظور ساخت آشکارسازهای مادون قرمز دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله رشد لایه کیفی SiO2 برروی بستر InSb در فشار و دمای پایین به منظور ساخت آشکارسازهای مادون قرمز  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله رشد لایه کیفی SiO2 برروی بستر InSb در فشار و دمای پایین به منظور ساخت آشکارسازهای مادون قرمز،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله رشد لایه کیفی SiO2 برروی بستر InSb در فشار و دمای پایین به منظور ساخت آشکارسازهای مادون قرمز :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

رشد لایه نازک SiO2 با استفاده از تکنیک رسوب شیمیایی از پلاسمای گاز (PECVD) در دما و فشار پایین به گونه ای که بتوان از آن در ساخت آشکار سازهای فتودیودی آرایه ای ایندیوم آنتیموناید (InSb) استفاده کرد،مورد تاکید ما در این مقاله است. برای این منظور لایه SiO2 رشد داده شده باید متراکم بوده ودارای کمینه بارهای آزاد داخل اکسید و مرز مشترک اکسید نیمه هادی باشد. با استفاده از تنظیم نسبتهای گاز، توان و فشار و به کمک ازمایشاتی SEM,AFM و اندازه گیری نرخ خوردگی و تغییرات ظرفیت خازنی – ولتاژ، کیفیت الکتریکی اکسید را بهینه نماییم.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.