مقاله بهبود محاسبه مقاومت بدنه در ترانزیستورهای PD SOI MOSFET با مقیاس ۴۵nm نانومتر


در حال بارگذاری
مقاله بهبود محاسبه مقاومت بدنه در ترانزیستورهای PD SOI MOSFET با مقیاس ۴۵nm نانومتر
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
16 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بهبود محاسبه مقاومت بدنه در ترانزیستورهای PD SOI MOSFET با مقیاس ۴۵nm نانومتر دارای ۱۱ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بهبود محاسبه مقاومت بدنه در ترانزیستورهای PD SOI MOSFET با مقیاس ۴۵nm نانومتر  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بهبود محاسبه مقاومت بدنه در ترانزیستورهای PD SOI MOSFET با مقیاس ۴۵nm نانومتر،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بهبود محاسبه مقاومت بدنه در ترانزیستورهای PD SOI MOSFET با مقیاس ۴۵nm نانومتر :

تعداد صفحات:۱۱

چکیده:

در این مقاله مدل جدید غیر خطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس ۴۵nm ارائه می گردد. این مدل بر پایه شبیه سازی های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه سازی سه بعدی نرم افزار ISE-TCAD نشان داده می شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه ای ریاضی برای محاسبه مقاومت بدنه بر حسب متغییرهای پتانسیل بدنه و عرض افزاره، بیان می گردد. در نهایت نتایج شبیه سازی سه بعدی نرم افزاری و رابطه ریاضی بدست آمده با آخرین نتایج بدست آمده مورد مقایسه قرار می گیرد. مقایسات نتایج بهبود رابطه ریاضی ارائه شده را نشان می دهد.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.