دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله محاسبه تحرک پذیری الکترونها در ساختارهای ۴H-SiCو ۶H-SiC با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر در حضور میدانهای الکتریکی ضعیف
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله محاسبه تحرک پذیری الکترونها در ساختارهای ۴H-SiCو ۶H-SiC با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر در حضور میدانهای الکتریکی ضعیف دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله محاسبه تحرک پذیری الکترونها در ساختارهای ۴H-SiCو ۶H-SiC با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر در حضور میدانهای الکتریکی ضعیف کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله محاسبه تحرک پذیری الکترونها در ساختارهای ۴H-SiCو ۶H-SiC با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر در حضور میدانهای الکتریکی ضعیف،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله محاسبه تحرک پذیری الکترونها در ساختارهای ۴H-SiCو ۶H-SiC با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر در حضور میدانهای الکتریکی ضعیف :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
در این مقاله وابستگی تحرک پذیری الکترونها به دما و چگالی اتمهای ناخالصی در ساختارهای ۴H-SiCو ۶H-SiC با حل معادله ترابردی بولتزمن به روش برگشت پذیر محاسبه شده است. در این محاسبه مکانیسمهای پراکندگی یعنی؛ پراکندگی از فونونهای اپتیکی قطبی، فونونهای آکوستیکی (پراکندگی از اثر پیزو الکتریک و پتانسیل تغییر شکل شبکه) و پراکندگی از اتمهای ناخالصی یونیده لحاظ شده است. با افزایش دما از ۱۰۰ تا ۵۰۰ درجه کلوین تحرک پذیری الکترونها به طور یکنواخت کاهش می یابد. در دماهای پایینتر با افزایش چگالی اتمهای ناخالصی تحرک پذیری الکترونها افزایش قابل توجه ای می یابد. نتایج بدست آمده از این روش با داده های تجربی در توافق خوبی است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
