مقاله مدلسازی ترانزیستور اثر میدانی با نگاشت فضایی عصبی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله مدلسازی ترانزیستور اثر میدانی با نگاشت فضایی عصبی دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله مدلسازی ترانزیستور اثر میدانی با نگاشت فضایی عصبی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مدلسازی ترانزیستور اثر میدانی با نگاشت فضایی عصبی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله مدلسازی ترانزیستور اثر میدانی با نگاشت فضایی عصبی :

تعداد صفحات:۶

چکیده:

در این مقاله روش کارآمدی برای مدلسازی ترانزیستور اثر میدانی با استفاده از مدل تقریبی و به کمک شبکه عصبی ارائه شده است. بر خلاف مدل های دقیق که دارای پیچیدگی بالا و هزینه زمانی وپردازشی زیادی هستند، روش پیشنهادی از پیچیدگی کمتر و سرعت پردازش بیشتری برخوردار است. در این روش از شبکه عصبی پیشخور برای محاسبه پارامتر اصلاحی در مدل نفوذ-رانش استفاده شده است. بدین صورت حل مدل تقریبی اصلاح شده منجر به جواب دقیق می شود. روش پیشنهادی برای ترانزیستور اثر میدانی سیلیکونی نازک به صورت دو بعدی و برای دو حالت درونیابی و برونیابی در رنج محدود ، شبیه سازی شده است که نتایج آن برای متغیرهای اساسی مدل، مثل توزیع الکترون و پتانسیل در طول ترانزیستور در ولتاژهای مختلف، دقت بالای روش پیشنهادی را تایید می کنند.