مقاله ساخت وریستور با اکسیدروی نانومتری و بررسی تاثیر درصد افزودنی اکسید بیسموت بر رفتار الکتریکی آن

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله ساخت وریستور با اکسیدروی نانومتری و بررسی تاثیر درصد افزودنی اکسید بیسموت بر رفتار الکتریکی آن دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله ساخت وریستور با اکسیدروی نانومتری و بررسی تاثیر درصد افزودنی اکسید بیسموت بر رفتار الکتریکی آن  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله ساخت وریستور با اکسیدروی نانومتری و بررسی تاثیر درصد افزودنی اکسید بیسموت بر رفتار الکتریکی آن،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله ساخت وریستور با اکسیدروی نانومتری و بررسی تاثیر درصد افزودنی اکسید بیسموت بر رفتار الکتریکی آن :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

در این پژوهش، وریستورهای تهیه شده از اکسید روی نانومتری، با درصدهای مولی گوناگون اکسید بیسموت (۰/۵ -۱-mol%1/5) به روش متداول سرامیکی ساخته شد. نمونه ها در دماهای گوناگون (۱۰۰۰-۱۰۵۰-۱۱۰۰ درجه سانتیگراد) تف جوشی و سپس الکترودگذاری شدند. منحنی مشخص هی E-J هریک از نمونه ها به دست آمد.دیده شد که ضریب ناخطی و ولتاژ شکست به ترکیب مواد در ساخت نمونه و دمای تف جوشی آن بستگی دارد، به گونه ای که بیشینه مقدار ضریب ناخطی برای نمونه ی دارای ۱/۵ درصد مولی Bi2O3 وتف جوشی شده در دمای ۱۱۰۰درجه سانتیگراد به دست آمد.