مقاله تاثیر میدان الکترو مغناطیسی با فرکانس کم ( شدت ۵ میلی تسلا و فرکانس ۵۰ هرتز ) بر فراخوانی حافظه در موشهای صحرایی نر

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله تاثیر میدان الکترو مغناطیسی با فرکانس کم ( شدت ۵ میلی تسلا و فرکانس ۵۰ هرتز ) بر فراخوانی حافظه در موشهای صحرایی نر دارای ۱۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله تاثیر میدان الکترو مغناطیسی با فرکانس کم ( شدت ۵ میلی تسلا و فرکانس ۵۰ هرتز ) بر فراخوانی حافظه در موشهای صحرایی نر  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله تاثیر میدان الکترو مغناطیسی با فرکانس کم ( شدت ۵ میلی تسلا و فرکانس ۵۰ هرتز ) بر فراخوانی حافظه در موشهای صحرایی نر،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله تاثیر میدان الکترو مغناطیسی با فرکانس کم ( شدت ۵ میلی تسلا و فرکانس ۵۰ هرتز ) بر فراخوانی حافظه در موشهای صحرایی نر :

تعداد صفحات:۱۶

چکیده:

زمینه واهداف : تشکیل حافظه توسط عوامل متفاوتی تحت تاثیر قرار می گیرد . باتوجه به افزایش احتمال قرارگیری در معرض میدانهای مغناطیسی در سالهای اخیر واثرات مطرح این میدانها برروندتثبیت حافظه مطالعه مذکور طرح ریزی گردید تا تاثیر این نوع میدانها بر تثبیت و فراخوانی حافظه مشخص شود .
روش بررسی : دراین مطالعه نه گروه ده تایی از موشهای سفید صحرایی نر نژاد ویستار با متوسط وزنی ۲۷۵ ± ۲۵ گرم و سن ۳ – ۴ ماه انتخاب گردید . گروه کنترل توسط روش اجتناب غیر فعال آموزش دیده و ۲۴ ساعت بعدتست شدند . گروههای شم بلافاصله بعد از آموزش برای مدت مشابه گروه آزمایشی در محفظه میدان الکترومغناطیسی خاموش قرار گرفته و ۲۴ ساعت بعد تست شدند . چهار گروه از رتها جهت بررسی اثرات میدان مغناطیسی بر تثبیت حافظه بلافاصله پس از آموزش به ترتیب برای مدت ۸ و ۶ ، ۴ ، ۱ ساعت در معرض میدان مغناطیسی با شدت ۵ میلی تسلا و ۵۰ هرتز قرار گرفتند . جهت ارزیابی تاثیر میدان الکترومغناطیسی بر فراخوانی حافظه ، سه گروه دیگر از رتهاآموزش یافته و ۲۴ ساعت بعد تست شدند . سپس این گروهها به مدت ۴ ساعت ، به ترتیب برای ۳ ، ۴ و ۵ روز در معرض میدان مغناطیسی قرار گرفته و در خاتمه مجدداّ تست شدند .
یافته ها : قرارگیری رتهادر معرض میدان مغناطیسی برای مدت یکساعت اثر معنی داری بر تثبیت حافظه نداشت در حالیکه اعمال میدان مغناطیسی درسه گروه دیگردر مقایسه با گروه کنترل به طور معنی دار تثبیت حافظه را مختل نمود )p<0/05) ، اما میدان الکترومغناطیسی اعمال شده تاثیری بر روند فراخوانی حافظه نداشت . نتیجه گیری : قرارگیری در معرض میدان مغناطیسی با شدت کم به صورت حاد قادر به جلوگیری از تثبیت حافظه است اما تاثیری بر فراخوانی حافظه ندارد .