دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله بررسی تاثیر لایه روکش (cap) بر مقاومت سورس ترانزیستور HFET ساخته شده با AlGaN-GaN
در حال بارگذاری
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
1 بازدید
۹۷,۷۰۰ تومان
۱۶۶۵۰۹
راهنمای خرید:
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
