مقاله مطالعه خازن های لبه ای در نانومتری DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیر آستانه


در حال بارگذاری
مقاله مطالعه خازن های لبه ای در نانومتری DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیر آستانه
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
1 بازدید
۶۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله مطالعه خازن های لبه ای در نانومتری DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیر آستانه دارای ۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله مطالعه خازن های لبه ای در نانومتری DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیر آستانه  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مطالعه خازن های لبه ای در نانومتری DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیر آستانه،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله مطالعه خازن های لبه ای در نانومتری DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیر آستانه :

تعداد صفحات:۷

چکیده:

این مقاله به بررسی اثرات تغییر پارامترهای ساختاری بر روی مشخصه های الکتریکی افزاره نانومتری ماسفت دو گیتی سیلیکان بر روی عایق (DG-SOI MOSFET) در ناحیه زیرآستانه می پردازد. شبیه سازی های انجام شده نشان می دهند که کاهش ضخامت بدنه منجر به کاهش ارتفاع سد پتانسیل و افزایشخازن موثر گیت (CG,eff) می شود، در صورتیکه جریان حالت روشن افزاره (ION) کاهش می یابد؛ ابن امر ناشی از کاهش قابلیت حرکت الکترون ها در اثر کاهش ضخامت بدنه می باشد. با کاهش طول نواحی سورس و درین (LD،LS)، خازن لبه ای (CFringe) کوچک می گردند . در نتیجه (CG,eff) کاهش می یابد، این در حالی است که مشخصه جریان – ولتاژ و نیز ارتفاع سد پتانسیل تغییر چندانی نمی کنند. بررسی های انجام شده بر طول ناحیه ناهمپوشانی گیت (Lun) حاکی از آن است که افزایش Lun باعث کمتر شدن (CG,eff) و اثر کاهش سد پتانسیل القا شده توسط درین (DIBL)، و نیز افزایش نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش افزاره (ION/IOFF) می شود.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.