مقاله بهبود ساختار Double Gate SOI ماسفت ها در ابعاد نانو برای ارتقاء عملکرد در حوزه RF در مدارات مجتمع

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بهبود ساختار Double Gate SOI ماسفت ها در ابعاد نانو برای ارتقاء عملکرد در حوزه RF در مدارات مجتمع دارای ۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بهبود ساختار Double Gate SOI ماسفت ها در ابعاد نانو برای ارتقاء عملکرد در حوزه RF در مدارات مجتمع  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بهبود ساختار Double Gate SOI ماسفت ها در ابعاد نانو برای ارتقاء عملکرد در حوزه RF در مدارات مجتمع،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بهبود ساختار Double Gate SOI ماسفت ها در ابعاد نانو برای ارتقاء عملکرد در حوزه RF در مدارات مجتمع :

تعداد صفحات:۷

چکیده:

این مقاله یک طرح جدید است که بر پایه بهبود اثرات کانال کوتاه افزاره های سیلیکن بر روی عایق دو گیتی در ابعاد نانو با تغییر ساختار آن با گسترش بهینه نواحی سورس / درین و توزیع ناخالصی در این نواحی و طول کانال بنا شده است . از دیگر اهداف این پروژه این است که بهره ولتاژ ذاتی و فرکانس قطع را در افزاره های سیلیکن بر روی عایق دو گیتی در ابعاد کوچک بهبود می بخشد . نتایج این بررسی نشان می دهد که این طرح بهینه یافته با طول گیت ۲۵ نانومتر و جریان درین، ۱۰A/m ، بهبود بالای ۶۵% در بهره ولتاژ ذاتی و ۸۵% در فرکانس قطع نشان می دهد. تاثیر عرض جداکننده های بین گیت و سورس / درین ، همچنین گرادیان ناخالص سورس /درین و متقارن بودن و یا نامتقارن بودن نواحی سورس / درین گسترش یافتهبر روی معیارهای شایستگی کلیدی در کاربردهای RF، مانند ولتاژ ارلی ، ضریب هدایت انتقالی ، نسبت ضریب هدایت انتقالی به جریان ، ضریب هدایت خروجی ، به طور دقیق مورد بررسی قرار گرفته است. این طرح فرصتی مناسب برای درک اهمیت استفاده از ماسفت های دو گیتی را در مدارک آنالوگ ولتاژ پایین / توان پایین ، ایجاد می کند.