دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله بررسی رفتار توابع وانیر بیشینه جایگزیده در مرز مشترک CrAs/GaAs
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله بررسی رفتار توابع وانیر بیشینه جایگزیده در مرز مشترک CrAs/GaAs دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله بررسی رفتار توابع وانیر بیشینه جایگزیده در مرز مشترک CrAs/GaAs کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی رفتار توابع وانیر بیشینه جایگزیده در مرز مشترک CrAs/GaAs،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله بررسی رفتار توابع وانیر بیشینه جایگزیده در مرز مشترک CrAs/GaAs :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
ماتوابع وانیر بیشینه جایگزیده مرز مشترک CrAs/GaAs را در حالت فرومغناطیس محاسبه کرده ایم. در کانال اسپین پایین ۳۲ حالت اشغال شده می باشندو مراکز توابع وانیر بیشینه جایگزیده مربوط به این حالت ها بر روی پیوند حضور دارند. در کانال اسپین بالا ۲۰ حالت دیگر مربوط به اوربیتال های d3اتم Cr اضافه می شوند. از بین ۳۲ تابع وانیر قرار گرفته بر روی پیوند ، ۸ تابع وانیر بر روی مرزمشترک CrAs/GaAs خواهند بود. مرکز این ۸ تابع وانیر در حالت اسپین بالا جابه جایی نسبت به راستای پیوند در جهت زیر لایه (GaAs) نشان می دهد. حضور میدان الکتریکی ناشی از تغییرات پتانسیل الکتروستاتیکی کل بر روی مرزمشترک Ga/As/Cr منشأ چنین جابه جایی هایی است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
