مقاله مطالعه کمی مشخصه I-V بایاس وارون در آشکار سازهای فروسرخ Si/PtSi متخلخل نوع n و p


در حال بارگذاری
مقاله مطالعه کمی مشخصه I-V بایاس وارون در آشکار سازهای فروسرخ Si/PtSi متخلخل نوع n و p
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
6 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله مطالعه کمی مشخصه I-V بایاس وارون در آشکار سازهای فروسرخ Si/PtSi متخلخل نوع n و p دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله مطالعه کمی مشخصه I-V بایاس وارون در آشکار سازهای فروسرخ Si/PtSi متخلخل نوع n و p  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مطالعه کمی مشخصه I-V بایاس وارون در آشکار سازهای فروسرخ Si/PtSi متخلخل نوع n و p،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله مطالعه کمی مشخصه I-V بایاس وارون در آشکار سازهای فروسرخ Si/PtSi متخلخل نوع n و p :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

در این مقاله به بررسی کمی مشخصه I-V بایاس در آشکار ساز Si/PtSi متخلخل ۵۰% نوع n و p دردماهای ۳۰۰ و ۷۷ کلوین پرداخته ایم. این داده ها در دمای پایین نشان دهنده رفتاری شکست گونه با ولتاژ شکست مشابه می باشند. مدل محاسباتی ما مبتنی بر فرایند گسیل گرما- یونی الکترون/ حفره با ضرایب ایده آلی بزرگ (n100-200) است. نتایج ما حاکی از آن است که در دمای پایین فرایند ترابری حامل ها ترکیب سازوکارهای گسیل گرما- یونی و عمدتا تونلی است. فرایند تونلی می تواند حاصل گسیل قوی میدانی ناشی از حضور میدان های الکتریکی بزرگ در نقاط نوک تیز (با ابعاد میکرومتری) ستون های سیلیکونی و از طریق حالت های سطحی در فصل مشترک سیلیساید- سیلیکون با تراکم بالا از مرتبه ۱۰۱۵cm-2eV-1~ باشد.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.