دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله تاثیرات چگونگی توزیع ناخالصی ها در کانال SOI-MOSFET
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله تاثیرات چگونگی توزیع ناخالصی ها در کانال SOI-MOSFET دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله تاثیرات چگونگی توزیع ناخالصی ها در کانال SOI-MOSFET کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله تاثیرات چگونگی توزیع ناخالصی ها در کانال SOI-MOSFET،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله تاثیرات چگونگی توزیع ناخالصی ها در کانال SOI-MOSFET :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
در این مقاله به بررسی تاثیرات چگونگی توزیع ناخالصی ها در کانال ترانزیستور SOI-MOSFET در ابعاد نانو پرداخته شده است. این بررسی ها با استفاده از شبیه سازی مدل موازنه انرژی و انجام شبیه سازی های یک بعدی و دو بعدی صورت گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهد که ولتاژ آستانه در اثر توزیع غیریکنواخت ناخالصی ها در زیر گیت دستخوش تغییراتی می شود، که حداکثر این تغییرات در حالت یک بعدی (طولی) حدود ۵% و در دو بعدی (طولی و عمقی) حدود ۱۲/۵% می باشد
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
