مقاله حوزه ها و ناهمسانگردی موثر در نانو ساختارهای فرومغناطیس- نیمه رسانا

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله حوزه ها و ناهمسانگردی موثر در نانو ساختارهای فرومغناطیس- نیمه رسانا دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله حوزه ها و ناهمسانگردی موثر در نانو ساختارهای فرومغناطیس- نیمه رسانا  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله حوزه ها و ناهمسانگردی موثر در نانو ساختارهای فرومغناطیس- نیمه رسانا،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله حوزه ها و ناهمسانگردی موثر در نانو ساختارهای فرومغناطیس- نیمه رسانا :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

در این مقاله ساختار و خواص مغناطیسی لایه های نازک آهن بر روی زیرلایه های سیلیکون مورد مطالعه قرار گرفته است. به منظور بررسی خصوصیات سطوح لایه های مورد نظر از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) و برای مشخصه یابی حوزه های مغناطیسی و رفتار دیواره های حوزه ها از میکروسکوپ نیروی مغناطیسی (MFM) و مغناطیس سنجی گرادیان نیروی متناوب (AGFM) استفاده گردید. لایه های آهن با ضخامت ۱۵۰-۵ نانومتر لایه نشانی شدند. هدف اصلی این مقاله، مطالعه اثر ضخامت لایه ها بر ناهمسانگردی و پسماند مغناطیسی آنهاست. بطور نمونه حوزه های لایه آهن با ضخامت ۱۰۰ نانومتر بر روی سیلیکون با استفاده از تصاویر MFM و منحنیهای پسماند مغناطیسی آن به وسیله AGFM گزارش شده است. همچنین از روی محاسبات مربوط به ناهمسانگردی موثر نشان داده شد که با افزایش ضخامت لایه های آهن، نوساناتی در زیر لایه های سیلیکون نوع nو p مشاهده می شود.