مقاله بررسی عوامل موثر بر ساختار و خواص پیزوالکتریک لایه های نازک تیتانات زیرکونات سرب (PZT)بر روی زیرلایه سیلیکون مورد استفاده درسیستمهای میکروالکترومکانیک (MEMS)


در حال بارگذاری
مقاله بررسی عوامل موثر بر ساختار و خواص پیزوالکتریک لایه های نازک تیتانات زیرکونات سرب (PZT)بر روی زیرلایه سیلیکون مورد استفاده درسیستمهای میکروالکترومکانیک (MEMS)
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
1 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی عوامل موثر بر ساختار و خواص پیزوالکتریک لایه های نازک تیتانات زیرکونات سرب (PZT)بر روی زیرلایه سیلیکون مورد استفاده درسیستمهای میکروالکترومکانیک (MEMS) دارای ۱۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی عوامل موثر بر ساختار و خواص پیزوالکتریک لایه های نازک تیتانات زیرکونات سرب (PZT)بر روی زیرلایه سیلیکون مورد استفاده درسیستمهای میکروالکترومکانیک (MEMS)  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی عوامل موثر بر ساختار و خواص پیزوالکتریک لایه های نازک تیتانات زیرکونات سرب (PZT)بر روی زیرلایه سیلیکون مورد استفاده درسیستمهای میکروالکترومکانیک (MEMS)،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی عوامل موثر بر ساختار و خواص پیزوالکتریک لایه های نازک تیتانات زیرکونات سرب (PZT)بر روی زیرلایه سیلیکون مورد استفاده درسیستمهای میکروالکترومکانیک (MEMS) :

تعداد صفحات:۱۷

چکیده:

امروزه ازتکنولوژی ساخت لایه های نازک بصورت گسترده در ساخت سیستم های میکروالکترومکانیک (MEMS) استفاده می شود. سرامیک پیزوالکتریک تیتانات زیرکونات سرب (PZT) با فرمول Pb(Zrx,Ti1-x)O3 بصورت لایه نازک بر روی زیرلایه ای از Si/SiO2 /Ti/Pt و به روش اسپاترینگ مغناطیسی RF راسب می شود. کاربرد لایه نازک تیتانیوم بعنوان عامل چسبنده بین لایه پلاتین و زیرلایه سیلیکون می باشد و لایه نازک پلاتین نیز بعنوان الکترود پایینی در جهت کریستالوگرافی (۱۱۱) رشد نموده که با آنالیز XRD قابل اثبات است. انجام عملیات آنیل بر روی مجموعه چند لایه ای سیلیکون منجر به ایجاد ساختارکریستالی پروفسکیت در لایه PZT و رشد آن در جهت مرجح (۱۱۱) می شود اما در عین حال نفوذ اتمهای تیتانیوم به لایه پلاتین و نیز نفوذ اتمهای سرب موجود در PZT به سمت زیرلایه سیلیکون را در پی خواهد داشت که موجب ایجاد تاول و متعاقب آن تخریب در لایه های نازک پلاتین و PZT و کاهش خواص فروالکتریک و پیزوالکتریک PZT می شود. در این تحقیق اثر عوامل مختلفی نظیر دما و زمان آنیل، ضخامت لایه های مختلف و استفاده از لایه های بازدارنده نفوذ نظیر اکسید چند گانه تیتانیوم TiOx بر ساختار و خواص پیزوالکتریک PZT مورد بررسی قرار گرفت و مشخص گردید که عملیات آنیل نمونه ها در دمای °c 650 به مدت ۳۰ دقیقه و ضخامت nm 10 برای لایه تیتانیوم و nm 200 برای لایه پلاتین بهترین نتایج را برای خواص پیزوالکتریک PZT بدست می آورد

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.