مقاله مطالعه نقش پردازش لیزری در حضور میدان مغناطیسی ضعیف طولی در ایجاد پاسخ امپدانسی CoFeSiB نامتقارن نوارهای آمورف کبالت پایه

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله مطالعه نقش پردازش لیزری در حضور میدان مغناطیسی ضعیف طولی در ایجاد پاسخ امپدانسی CoFeSiB نامتقارن نوارهای آمورف کبالت پایه دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله مطالعه نقش پردازش لیزری در حضور میدان مغناطیسی ضعیف طولی در ایجاد پاسخ امپدانسی CoFeSiB نامتقارن نوارهای آمورف کبالت پایه  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مطالعه نقش پردازش لیزری در حضور میدان مغناطیسی ضعیف طولی در ایجاد پاسخ امپدانسی CoFeSiB نامتقارن نوارهای آمورف کبالت پایه،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله مطالعه نقش پردازش لیزری در حضور میدان مغناطیسی ضعیف طولی در ایجاد پاسخ امپدانسی CoFeSiB نامتقارن نوارهای آمورف کبالت پایه :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

پاسخ امپدانسی نامتقارن (AMI) به دلیل بهبود بیشتر کارایی حسگرهای میکرومغناطیسی از نظر حساسیت میدانی و خطی بودن دارای اهمیت بسیار است . این رفتار برای نوارهای آمورف Co68.15Fe 4.35Si 12.5B15 پردازش شده با لیزر پالسی Nd:YAG با طول موج ۱۰۶۴ nm و با تغییر پارامتر نرخ تکرار پالس، در هوا و طی اعمال میدان مغناطیسی طولی ۳ Oe بررسی شده است . نتایج نشان دهنده آن است که علیرغم برخورداری نمونه خام از مقدار ناچیز ضریب نامتقارنی ، رفتار پاسخ امپدانسی نامتقارن در نرخ تکرار پالس مختلف به یک شکل ظاهر نمی شود؛ در حالیکه با اعمال میدان مغناطیسی ضعیف حین پردازش لیزری رفتاری همسان به صورت القای میدان ناهمسانگردی دیگری در نمونه ها و ظهور عدم تقارن در منحنی MI حول میدان مغناطیسی صفر دیده می شود . تفاوت در پاسخ امپدانسی نامتقارن در نرخ تکرار پالس لیزری را می توان به ناهمسانگردی متفاوتی که به ازای شرایط پردازش مختلف حاصل می شود، نسبت داد .