دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله شبیه سازی مونتو کارلو از خواص ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiC برای طراحی مدارات با بهره های بالا
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله شبیه سازی مونتو کارلو از خواص ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiC برای طراحی مدارات با بهره های بالا دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله شبیه سازی مونتو کارلو از خواص ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiC برای طراحی مدارات با بهره های بالا کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله شبیه سازی مونتو کارلو از خواص ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiC برای طراحی مدارات با بهره های بالا،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله شبیه سازی مونتو کارلو از خواص ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiC برای طراحی مدارات با بهره های بالا :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
شبیه سازی مونتو کارلو برای ترابرد الکترونها در حالات پایدار ترانزیستور اثر میدان ساخته شده از ماده SiC انجام پذیرفته است . مشخصه های ترابرد الکترونها و برای ترانزیستور شبیه سازی شده توافق خوبی را با نمونه های آزمایشگاهی نشان می دهد . مشخصه های خروجی جریان درین بر حسب ولتاژ اعمالی I-Vنمودار به درین – سورس نشان دهنده اندازه جریان خروجی بزرگی برای نمونه شبیه سازی شده است ..
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
