مقاله بررسی اثر بازپخت در خلاء بر روی خواص الکتریکی، اپتیکی و ساختاری لایه های نازک و شفاف ITO تهیه شده به روش تبخیر در خلاء با استفاده از باریکه الکترونی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی اثر بازپخت در خلاء بر روی خواص الکتریکی، اپتیکی و ساختاری لایه های نازک و شفاف ITO تهیه شده به روش تبخیر در خلاء با استفاده از باریکه الکترونی دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی اثر بازپخت در خلاء بر روی خواص الکتریکی، اپتیکی و ساختاری لایه های نازک و شفاف ITO تهیه شده به روش تبخیر در خلاء با استفاده از باریکه الکترونی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی اثر بازپخت در خلاء بر روی خواص الکتریکی، اپتیکی و ساختاری لایه های نازک و شفاف ITO تهیه شده به روش تبخیر در خلاء با استفاده از باریکه الکترونی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی اثر بازپخت در خلاء بر روی خواص الکتریکی، اپتیکی و ساختاری لایه های نازک و شفاف ITO تهیه شده به روش تبخیر در خلاء با استفاده از باریکه الکترونی :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

لایه های نازک ITO بر روی زیرلایه های شیشه ای در دمای ۲۰۰ درجه سانتیگراد با کمک روش تبخیر در خلاء با استفاده از باریکه الکترونی، لایه نشانی شده است. نمونه های لایه نشانی شده، در محیط اتمسفر و محیط خلا، در دماهای مختلف تحت بازپخت قرار گرفته اند. مقاومت الکتریکی نمونه پس از لایه نشانی cm 1/84*10-1 اندازه گیری شد و پس از بازپخت در اتمسفر و خلاء (به ترتیب) ۵۰۰ و ۴۰۰ درجه سانتیگراد، به مقدار cm 1/35*10-4 کاهش یافت. عبور نوری نمونه ۷۸/۶۶% بدست آمد. با استفاده از نتایج XRD، ثابت شبکه ۱۰/۰۸A محاسبه شد. باند ممنوعه نوری لایه های نازک ۴/۲۷, ITO بدست آمد. برای بررسی اندازه گیری خواص لایه های نازک ITO از سیستم چهارترمینالی، طیف سنج XRD ، UV/VIS/IR و AFM استفاده شده است.