مقاله بررسی اثرمیزان تخلخل برخواص فتودیودی CdO/PSi/Si به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS)

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی اثرمیزان تخلخل برخواص فتودیودی CdO/PSi/Si به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS) دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی اثرمیزان تخلخل برخواص فتودیودی CdO/PSi/Si به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS)  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی اثرمیزان تخلخل برخواص فتودیودی CdO/PSi/Si به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS)،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی اثرمیزان تخلخل برخواص فتودیودی CdO/PSi/Si به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS) :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

در این پژوهش اثر میزان تخلخل برخواص فتودیودی نمونه های چندلایه ای CdO/PSi/Si روش طیف سنجی تونلی روبشی ( SpectroscopyScanning Tunneling ) مطالعه شد. لایه سیلیکن متخلخل ( PSi) کمک آندایزالکتروشیمیایی سیلیکین نوع +p ولایه اکسید کادمیم ( CdO) به روش لایه نشانی لیزر پالسی و در فشار torr10-5 ساخته شد. نمونه هارا در هوا و به مدت ۱۰ دقیقه در دمای ۵۰۰ درجه سانتیگراد پخت کردیم تا کمبوداکسیژن در آنها جبران شود. ضخامت و قطر حفرات لایه متخلخل، و مورفولوژی لایه اکسید کادمیم به روشهای AFM و SEM بررسی شدند. طیف XRD و طیف عبور اپتیکی به منظور بررسی خواص کریستالی و تعیین شکاف انرژی اکسید کادمیم استفاده شدند. با تغییر پارامترهای موثر در آندایز الکتروشیمیایی سیلیکن، نمونه های CdO/PSi/Si با درصد تخلخل های مختلف ساخته شدند. بررسی منحنی جریان – ولتاژ نمونه ها در حضور نور و تاریکی به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS) وجود یک درصد تخلخل بهینه را به منظور بهبود خواص فتودیودی نمونه ها نشان داد.