دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله کوانتش میدان الکترومغناطیسی درلایه های دی الکتریک ؛ گاف کریستال فوتونی
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله کوانتش میدان الکترومغناطیسی درلایه های دی الکتریک ؛ گاف کریستال فوتونی دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله کوانتش میدان الکترومغناطیسی درلایه های دی الکتریک ؛ گاف کریستال فوتونی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله کوانتش میدان الکترومغناطیسی درلایه های دی الکتریک ؛ گاف کریستال فوتونی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله کوانتش میدان الکترومغناطیسی درلایه های دی الکتریک ؛ گاف کریستال فوتونی :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
در این مقاله از نتایج روش کوانتش امواج در دی الکتریکها، به کمک تابع گرین، برای محاسبه گاف کریستال های فوتونی یک بعدی استفاده می شود .در این روش، ماتریس ارتباط بین شدتهای ورودی و خروجی برای یک لایه دی الکتریک بدون اتلاف را به دست آورده و با تعمیم آن ، این ارتباط برای ساختارهای لایه لایه مشخص می شود .با استفاده از این نتایج نمودار نسبت شدت خروجی به ورودی ، بر حسب فرکانس ، برای یک کریستال فوتونی یک بعدی رسم کرده ،گافهای فوتونی را به وضوح نشان می دهیم .همچنین مقایسه ای از گافهای فوتونی محاسبه شده از دو روش کلاسیکی و کوانتومی ارایه می گردد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
