مقاله سویچ زنی حافظه ای در نیم رساناهای آمورف لیتیوم-وانادیوم-فسفات

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله سویچ زنی حافظه ای در نیم رساناهای آمورف لیتیوم-وانادیوم-فسفات دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله سویچ زنی حافظه ای در نیم رساناهای آمورف لیتیوم-وانادیوم-فسفات  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله سویچ زنی حافظه ای در نیم رساناهای آمورف لیتیوم-وانادیوم-فسفات،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله سویچ زنی حافظه ای در نیم رساناهای آمورف لیتیوم-وانادیوم-فسفات :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

نمونه های آمورف، با فرمول عمومی mol%50) P2O5 – x mol% V2O5 -(50-x) mol% Li2O) ، به صورت فیلم دمشی ساخته شده است. در میدانهای الکتریکی بالا، سویچ زنی الکتریکی در این نمونه ها مشاهده می شود که به علت گذار از حالت آمورف به کریستال است و در نتیجه آن، مقاومت ماده در ناحیه سویچ کرده به شدت کم می شود. با افزایش اکسید لیتیوم، ولتاژ سویچ زنی بیشتر می شود. علت این رفتار به ایجاد گروه های مولکولی ویژه در شبکه نسبت داده می شود که موجب کاهش پیوستگی شبکه آمورف می شود. مشاهده می شود که این نمونه ها، بعد از سویچ زنی، با از بین رفتن میدان الکتریکی، حالت مقاومت کم را در خود حفظ می کنند و به عبارت دیگر، دارای حافظه هستند.