مقاله ترانزیستوراثر میدان فلز عایق نیمه رسانا)) AlxGa1-xN/GaN MISHFETتحلیل عملکردبرای کاربردهای میکروویو توان بالا


در حال بارگذاری
مقاله ترانزیستوراثر میدان فلز عایق نیمه رسانا)) AlxGa1-xN/GaN MISHFETتحلیل عملکردبرای کاربردهای میکروویو توان بالا
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
1 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله ترانزیستوراثر میدان فلز عایق نیمه رسانا)) AlxGa1-xN/GaN MISHFETتحلیل عملکردبرای کاربردهای میکروویو توان بالا دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله ترانزیستوراثر میدان فلز عایق نیمه رسانا)) AlxGa1-xN/GaN MISHFETتحلیل عملکردبرای کاربردهای میکروویو توان بالا  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله ترانزیستوراثر میدان فلز عایق نیمه رسانا)) AlxGa1-xN/GaN MISHFETتحلیل عملکردبرای کاربردهای میکروویو توان بالا،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله ترانزیستوراثر میدان فلز عایق نیمه رسانا)) AlxGa1-xN/GaN MISHFETتحلیل عملکردبرای کاربردهای میکروویو توان بالا :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

جی ام gm در این مقاله، یک مدل تحلیلی جامع برای محاسبه جریان و پارامترهای سیگنال کوچک مانند و فرکانس قطع میکروویو برای قطعه HEMT (ترانزیستور با تحرک پذیری الکترونی بالا)و ارائه شده است. همچنین وابستگی عملکرد آنها به پارامترهای فیزیکی مختلفت MISHFET AlGaN/GaN مورد بررسی قرارگرفته و مقادیر مناسب پارامتر ها برای بهینه سازی ساختار و بهبود عملکرد قطعه تعیین شده اند.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.