مقاله تولید لایه های ITO به روش تبخیر فیزیکی در خلاء توسط اشعه الکترون از قرص های ترکیبی پودرهای (In(2)O(3 و (SnO(2

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله تولید لایه های ITO به روش تبخیر فیزیکی در خلاء توسط اشعه الکترون از قرص های ترکیبی پودرهای (In(2)O(3 و (SnO(2 دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله تولید لایه های ITO به روش تبخیر فیزیکی در خلاء توسط اشعه الکترون از قرص های ترکیبی پودرهای (In(2)O(3 و (SnO(2  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله تولید لایه های ITO به روش تبخیر فیزیکی در خلاء توسط اشعه الکترون از قرص های ترکیبی پودرهای (In(2)O(3 و (SnO(2،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله تولید لایه های ITO به روش تبخیر فیزیکی در خلاء توسط اشعه الکترون از قرص های ترکیبی پودرهای (In(2)O(3 و (SnO(2 :

تعداد صفحات:۶

چکیده:

مخلوط از ۹۰% اکسید ایندیم و ۱۰% اکسید قلع که با نام ITO رواج یافته است، یک نوع اکسید شفاف به نور با هدایت الکتریکی بسیار خوب (TCO) می باشد. لذا لایه نازکی از ITO را به عنوان الکترود روئین سلول خورشیدی به روش PVD لایه نشانی کردیم. به منظور جلوگیری از آلودگی لایه ها، آنها را قبل از قرار گرفتن در خلاء با اسید تمیز کرده و بعد از شستشو با آب مقطر، با الکل چربی زدایی نمودیم. به علت نقطه ذوب بالای هر دو ماده( In(2)O(3 و( SnO(2 ، استفاده از روش تبخیر حرارتی ممکن نبود و برای لایه نشانی از اشعه الکترون ۳ کیلو وات شرکت Hindi-vac در بوته گرافیتی استفاده کردیم. محفظه لایه نشانی ضمن اتصال به سیستم پمپ، برای خروج آلودگی های احتمالی از مخزن تا ۲۵۰ درجه به مدت یک ساعت حرارت داده شد. از آنجا که در دماهای بالا امکان شکسته شدن پیوند اکسیژن با عناصر ایندیم و قلع وجود دارد و در واقع عامل کدر شدن لایه ها می شود. بنابراین در حین لایه نشانی، از طریق شیر سوزنی مقداری هوا به محیط خلاء تزریق کردیم. ضخامت لایه در این مرحله حدود ۷۰۰ نانومتر بود. به منظور اکسیداسیون بهتر لایه ها، آنها را در کوره الکتریکی تا حدود ۳۰۰ درجه حرارت دادیم. لایه های تولید شده قبل از عملیات حرارتی شفافیت نداشتند، ولی بعد از عملیات حرارتی شفافیت لازم را بدست آوردند. در بررسی بعدی در نظر داریم که قلع و ایندیم فلزی را از دو چشمه متفاوت و به ترتیب به میزان رشد ۱ به ۹ در دمای تصعید هر کدام از مواد ایندیم فلزی و قلع فلزی تبخیر کرده و همزمان اکسیژن خالص را از بیرون به نزدیکی زیر لایه وارد نموده و به درون بخار اتم ها بدمیم. بدین ترتیب عناصر فلزی فوق قبل از لایه نشانی اکسیده شده و به صورت تازه لایه نشانی می شوند و از نفوذ آلودگی جلوگیری خواهد شد. در نتیجه انتظار می رود که کیفیت لایه ITO با این روش بهبود یابد.