دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله انتهای جاده سیلیکون اکسید فوق نازک (<2nm) به عنوان دی الکتریک گیت در CMOS ؟
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله انتهای جاده سیلیکون اکسید فوق نازک (<2nm) به عنوان دی الکتریک گیت در CMOS ؟ دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله انتهای جاده سیلیکون اکسید فوق نازک (<2nm) به عنوان دی الکتریک گیت در CMOS ؟ کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله انتهای جاده سیلیکون اکسید فوق نازک (<2nm) به عنوان دی الکتریک گیت در CMOS ؟،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله انتهای جاده سیلیکون اکسید فوق نازک (<2nm) به عنوان دی الکتریک گیت در CMOS ؟ :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
تراشه های کامپیوتر و ابعاد قطعات الکترونیکی کوچکتر و کوچکتر می شوند . گیت اکسید فوق نازک در قطعات CMOS برای تحول سیلیکون نیاز می باشد، CMOS نانومتر یا نازک تر که در تولیدات آتی ۱ ( برابر SiO2 – میکرو و نانو الکترونیک بسیار با اهمیت است . ضخامت موثر ( معادل بقدری نازک است تا بتواند مانع جریات تونل زنی , نشتی و نفوذ بورن ازالکترود پلی سیلیکون در اکسید سیلیکون شود . با وجود این سیلیکون هنوز یک مولفه حیاتی در صنعت است . مقاله حاضر یک کوششی در رشد اکسید فوق نازک را شرح می دهد و نشان می دهد که رشد بصورت خود – اشباعی است که پیشتر مشاهده نشده بود . تحقیقات حاضر بر خواص ساختاری سیستمها متمرکز شده است و با الکترون اسپکتروسکوپی، عمدتاً فوتوگسیلی، تابش سینکرترون در UHV مورد مطالعه قرار گرفته است .
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
