مقاله اثر تنش و کشش بلوری در ساختار باندهای انرژی لایه های نازک نیمه هادی InGaAs


در حال بارگذاری
مقاله اثر تنش و کشش بلوری در ساختار باندهای انرژی لایه های نازک نیمه هادی InGaAs
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
2 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله اثر تنش و کشش بلوری در ساختار باندهای انرژی لایه های نازک نیمه هادی InGaAs دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله اثر تنش و کشش بلوری در ساختار باندهای انرژی لایه های نازک نیمه هادی InGaAs  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله اثر تنش و کشش بلوری در ساختار باندهای انرژی لایه های نازک نیمه هادی InGaAs،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله اثر تنش و کشش بلوری در ساختار باندهای انرژی لایه های نازک نیمه هادی InGaAs :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

در رشد لایه های نازک نیمه هادی و استفاده آنها در صنعت لیزرهای نیمه هادی بدلیل ناخوانا بودن ثابت شبکه های بلوری در لایه های رشد داده شده،تنش و کشش ایجاد می شود که خود باعث تغییر ساختار باندها و زیر باندهای انرژی دربلور نیمه هادی می گردد . برای محاسبه باندها و زیر باندها از اثر جفت شدگی اربیت – اربیت برای زیر باندهای حفره – سنگینHH و حفره – سبکLH ظرفیت صرفنظر نکرده ایم؛اما از اثر جفت شدگی اسپین – اربیت دو زیر باند ذکر شده با زیر باند شکافتی در k =0 چشم پوشی کرده ایم؛زیرا انرژی شکافتی بین این باند و باندهای دیگر در حدی است که در فرایند هایی مانند بهره در لیزرهای نیمه هادی شرکت نمی کند و یا نقش بسیار کوچکی دارد

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.