مقاله تحلیل نظری کنترل حالتهای زیرباندی گاز الکترون دو بعدی با ضخامت لایه سرپوش در ساختارهای نامتجانس AlxGa1-xN/GaN

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله تحلیل نظری کنترل حالتهای زیرباندی گاز الکترون دو بعدی با ضخامت لایه سرپوش در ساختارهای نامتجانس AlxGa1-xN/GaN دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله تحلیل نظری کنترل حالتهای زیرباندی گاز الکترون دو بعدی با ضخامت لایه سرپوش در ساختارهای نامتجانس AlxGa1-xN/GaN  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله تحلیل نظری کنترل حالتهای زیرباندی گاز الکترون دو بعدی با ضخامت لایه سرپوش در ساختارهای نامتجانس AlxGa1-xN/GaN،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله تحلیل نظری کنترل حالتهای زیرباندی گاز الکترون دو بعدی با ضخامت لایه سرپوش در ساختارهای نامتجانس AlxGa1-xN/GaN :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

در این مقاله ساختارزیرباندی وگذار بین زیر باندها به عنوان تابعی از ضخامت لایه سرپوش , با حل خودسازگار معادلات پواسون و شرودینگردرساختارهای Al x Ga 1 x N / GaN بررسی می شوند . کسر نسبی آلومینیوم در این بررسی یک , وضخامت لایه سدی ۴۰ آنگستروم در نظر گرفته شده است . نتایج محاسبات نشان می دهد که تفاوت انرژی بین اولین و دومین زیر تراز که متناظر با طول موجهای مادون قرمز دور و متوسط می باشد . با تغییر ضخامت لایه سرپوش تغییر می کند . هرچه ضخامت لایه سرپوش افزایش یابد , فاصله انرژی بین دو زیر باند اول و دوم کاهش یافته وهمپوشانی توابع موج الکترون در این دو تراز افزایش می یابد و بنابراین گذار بین این دو زیر تراز بیشتر شده و ضریب جذب بزرگتر می شود . برای ساختارهای با کسر نسبی بالا ( مثلا یک ) وضخامت زیاد لایه سد ( مثلا ۴۰ آنگستروم ) انتگرال همپوشانی بین دو تراز و قدرت نوسان کنندگی مستقل از ولتاژ اعمالی دریچه است . بنابراین در این بررسی ولتاژ دریچه صفر در نظر گرفته شده و فقط اثر تغییرات ضخامت لایه سر پوش بررسی می شود .