مقاله بررسی خواص نوری لایه های نیترید سیلیکون (Si3N4) لایه نشانی شده به شیوه کندوپاش RF در محیط پلاسمای آرگن

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی خواص نوری لایه های نیترید سیلیکون (Si3N4) لایه نشانی شده به شیوه کندوپاش RF در محیط پلاسمای آرگن دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی خواص نوری لایه های نیترید سیلیکون (Si3N4) لایه نشانی شده به شیوه کندوپاش RF در محیط پلاسمای آرگن  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی خواص نوری لایه های نیترید سیلیکون (Si3N4) لایه نشانی شده به شیوه کندوپاش RF در محیط پلاسمای آرگن،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی خواص نوری لایه های نیترید سیلیکون (Si3N4) لایه نشانی شده به شیوه کندوپاش RF در محیط پلاسمای آرگن :

تعداد صفحات:۶

چکیده:

لایه های نازک نیترید سیلیکون(Si3N4) بر روی زیرلایه های مولتی کریستال سیلیکون و شیشه نازک با استفاده از سیستم کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. لایه نشانی در محیط گاز آرگن انجام شده و با تغییر توان لایه نشانی سعی شده است پوشش ضدبازتاب مناسبی برای سلولهای خورشیدی با زیرلایه مولتی کریستال سیلیکون حاصل گردد. با تغییر توان لایه نشانی، لایه هایی با خواص نوری متفاوت بدست می آید. از آنالیز UV/VIS/IR برای بررسی خواص نوری این لایه ها استفاده شده است. لایه های نیترید سیلیکونی که درمحیط آرگن و با توان بین ۳۵۰-۱۰۰ وات لایه نشانی شده اند، درصد عبور نوری بیشتر از ۹۲ % در توان بین ۱۵۰-۱۰۰ وات در طیف وسیعnm 300-1200 دارا میباشند. همچنین لایه هایی که با توان ۱۵۰-۱۰۰ وات لایه نشانی میشوند، دارای گاف انرژی در حدود ۵eV میباشند.