مقاله طراحی سلول جدید Full-Adder یک بیتی CMOS ولتاژ و توان پایین با استفاده از تکنیک GDI


در حال بارگذاری
مقاله طراحی سلول جدید Full-Adder یک بیتی CMOS ولتاژ و توان پایین با استفاده از تکنیک GDI
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
1 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله طراحی سلول جدید Full-Adder یک بیتی CMOS ولتاژ و توان پایین با استفاده از تکنیک GDI دارای ۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله طراحی سلول جدید Full-Adder یک بیتی CMOS ولتاژ و توان پایین با استفاده از تکنیک GDI  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی سلول جدید Full-Adder یک بیتی CMOS ولتاژ و توان پایین با استفاده از تکنیک GDI،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله طراحی سلول جدید Full-Adder یک بیتی CMOS ولتاژ و توان پایین با استفاده از تکنیک GDI :

تعداد صفحات:۷

چکیده:

َPDP یک معیار سنجش مستقیم برای میزان مصرف انرژی در واحد چرخه عملیاتی مدارهای محاسباتی است. کاهش ولتاژ تغذیه سلول Full-Adder برای رسیدن به PDP پایین یک روش مناسب در سطوح بالای طراحی برای بهبود بازدهی توان با حفظ سرعت در مدارهای محاسباتی است. در این مقاله یک طراحی جدید از یک سلول Full-Adder توان پایین یک بیتی ارائه شده است. در این سلول از تکنیک GDI برای تولید توابع XOR و XNOR استفاده گردیده است. نتایج شبیه سازی که توسط نرم افزار HSPICE و بر پایه تکنولوژی ۰/۱۸m CMOS انجام شده، نشان می دهد که این سلول در مقایسه با سایر سلول های Full-Adder دارای میزان توان مصرفی پایین و PDP پایین به خصوص در ولتاژهای زیر ۱V می باشد.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.