دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور بررسی میزان دوپینگ نوار P در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
بررسی میزان دوپینگ نوار P در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد بررسی میزان دوپینگ نوار P در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی میزان دوپینگ نوار P در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن بررسی میزان دوپینگ نوار P در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده :
تعداد صفحات :۸
چکیده مقاله:
دراین مقاله مدل مداری ساختارترانزیستور I-gate مورد بررسی قرارگرفته است پارامترهای مدل مورد بررسی بااستفاده ازنتایج شبیه سازی ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده باطول کانال ۴۵نانومتر تنظیم شدها ست اثرتغییرات غلظت نوار P دراتصال بدنه I-gate برروی ساختاربررسی گردید و نمودارهای مربوطه رسم گردید باتوجه به دوپینگ های مختلف ساختارمیتوان نتیجه گرفت که نوارمیانی استفاده شده دراین ساختاردوپینگش ازیک مقدار معین نمی تواند کمتر باشد زیرااستفاده ازدوپینگ نامناسب باعث بالا رفتن مقاومت بدنه و درنتیجه ولتاز بدنه میشود میزان غلظت مناسب بدست آمده برای این ساختار ۱e18 cm3 است
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
