ساختار یک ترانزیستور سیلیکون بر روی عایق دارای دو دندانه در ناحیه کانال جهت کاربردهای با ولتاژ شکست بالا: شبیه سازی عددی دوبعدی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 ساختار یک ترانزیستور سیلیکون بر روی عایق دارای دو دندانه در ناحیه کانال جهت کاربردهای با ولتاژ شکست بالا: شبیه سازی عددی دوبعدی دارای ۱۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد ساختار یک ترانزیستور سیلیکون بر روی عایق دارای دو دندانه در ناحیه کانال جهت کاربردهای با ولتاژ شکست بالا: شبیه سازی عددی دوبعدی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی ساختار یک ترانزیستور سیلیکون بر روی عایق دارای دو دندانه در ناحیه کانال جهت کاربردهای با ولتاژ شکست بالا: شبیه سازی عددی دوبعدی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن ساختار یک ترانزیستور سیلیکون بر روی عایق دارای دو دندانه در ناحیه کانال جهت کاربردهای با ولتاژ شکست بالا: شبیه سازی عددی دوبعدی :

تعداد صفحات :۱۰

چکیده مقاله:

ساختار ارایه شده در این مقاله دارای ولتاژ شکست بالاتری نسبت به ساختار پایه می باشد. در این ساختار ما دوناحیه ی عایق از جنسSiO 2 را در ناحیه کانال و در قسمت انتهایی آن قرار داده ایم بطوری که بصورت دو دندانه در کنار هم و در تقارن یکدیگر قرار گرفته اند. برای شبیه سازی از نرم افزار سیلواکو استفاده کرده ایم که روش نیوتن را برای انجام محاسبات و حل عددی معادلات بکار گرفته است. از آنجایی که تحمل شکست عایق چندین برابر نیمه هادی می باشد لذا این دوناحیه سبب می شوند که ولتاژ شکست در مقادیر بزرگتری به وقوع بپیوندد و تحمل ترانزیستور افزایش یابد. همچنین وجود این دو ناحیه باعث کاهش خازن های مسیر گیت درین می گردد که باعث بهبود یافتن پارامترهایRF می گردد. پلهی اولی از سمت راست باعث بهبود ولتاژ شکست و پله ی دومی باعث بهبود پارامترهایRF می گردد. بنابراین ساختار مذکور از کارایی الکتریکی بالاتری نسبت به ساختار پایه برخوردار است