دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور بررسی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
بررسی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید دارای ۱۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد بررسی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن بررسی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید :
تعداد صفحات :۱۷
چکیده مقاله:
ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید ۱ به دلیل خواص منحصر به فردش از جمله سرعت سوییچینگ بالا، نرخ بالای سیگنال به نویز و فرکانس کاری بالا یکی از قطعات به کار رفته در صنایع مخابراتی در باند مایکروویو می باشد که امروزه مدارهای مجتمع زیادی بر اساس این قطعه طراحی و ساخته شده است. در حقیقت تا اواخر دهه ۱۹۸۰ تمامی مدارات مجتمع میکروویو بر اساس این ترانزیستور ساخته می شد. اگر چه قطعات دیگری با کیفیت کاری بهتر جهت جایگزینی این ترانزیستور ساخته شدند، اما هنوز این ترانزیستور جایگاه ویژه ای در طراحی و ساخت مدارات سوییچینگ، تقویت کننده های قدرت و مدارات میکروویو دارد. در این تحقیق ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید بررسی و شبیه سازی می شود. در ابتدا مقدمه ای از طراحی این ترانزیستور بیان می شود، شماتیک ساختار ترانزیستور ارایه می شود و معادلات مربوطه استخراج می گردد، سپس مراحل مختلف ساخت ترانزیستور بیان می شود. در ادامه برای اینکه درک بهتری از عملکرد این نوع ترانزیستور ایجاد شود، با استفاده از نرم افزار سیلواکو این ترانزیستور شبیه سازی و منحنی مشخصات آن رسم می گردد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
