طراحی اسیلاتور LC تزویج ضربدری کم توان در تکنولوژی FinFET


در حال بارگذاری
طراحی اسیلاتور LC تزویج ضربدری کم توان در تکنولوژی FinFET
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
3 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 طراحی اسیلاتور LC تزویج ضربدری کم توان در تکنولوژی FinFET دارای ۲۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد طراحی اسیلاتور LC تزویج ضربدری کم توان در تکنولوژی FinFET  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی طراحی اسیلاتور LC تزویج ضربدری کم توان در تکنولوژی FinFET،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن طراحی اسیلاتور LC تزویج ضربدری کم توان در تکنولوژی FinFET :

تعداد صفحات :۲۵

چکیده مقاله:

در این مقاله یک اسیلاتور تزویج ضربدری توان پایین با منبع جریان دنباله طراحی شده است. برای کاهش توان، این طراحی با تکنولوژی FinFET 7nm LSTP انجام شده است و همچنین از روش های کاهش Vdd ، کاهش فرکانس خروجی اسیلاتور، بکارگیری Vth های مختلف و تکنولوژی SOI برای این منظور استفاده و تاثیر هر یک از این عوامل بررسی شده است. از سویی برای کاهش نویز فاز اسیلاتور از روش فیلترینگ نویز منبع جریان دنباله استفاده شده است. توان تلفاتی در این مقاله نسبت به نمونه های مشابه دیگر و کارهایی که تابحال انجام شده است بیش از ۹۰ درصد کاهش یافته است. شبیه سازی با HSPICE و در تکنولوژی FinFET 7nm LSTP با ولتاژ منبع تغذیه ۰.۷ volt انجام شده است؛ دامنه پیک تا پیک ولتاژ نوسانی خروجی ۰,۸۲ ولت ، فرکانس نوسان خروجی ۳.۹ GHz ، توان تلفاتی حدود ۳۰nwatt و نویز فاز اسیلاتور -۱۱۲.۵۷ dBc/Hz در آفست ۱ MHz میباشد.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.