دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مطالعه عددی انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال در مینیکانال تحت اثر میدان مغناطیسی با مدل های مختلف نیروی مغناطیسی
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مطالعه عددی انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال در مینیکانال تحت اثر میدان مغناطیسی با مدل های مختلف نیروی مغناطیسی دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مطالعه عددی انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال در مینیکانال تحت اثر میدان مغناطیسی با مدل های مختلف نیروی مغناطیسی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مطالعه عددی انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال در مینیکانال تحت اثر میدان مغناطیسی با مدل های مختلف نیروی مغناطیسی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مطالعه عددی انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال در مینیکانال تحت اثر میدان مغناطیسی با مدل های مختلف نیروی مغناطیسی :
تعداد صفحات :۹
چکیده مقاله:
در این مقاله انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال مغناطیسی۱ Fe3O4 با سیال پایه آب در حضور میدان مغناطیسی به صورت عددی مورد بررسی قرار گرفته است. هندسه مورد مطالعه، کانال دوبعدی افقی در اندازه ۲×۲۰ میلیمتر با دیواره پایینی دما ثابت و دیواره بالایی عایق بوده و میدان مغناطیسی دوقطبی خطی در میانه سطح پایینی اعمال شده است. تاثیر مدلهای مختلف نیروی مغناطیسی در چهار قدرت متفاوت و اعداد رینولدز۱۰، ۲۵ و ۴۰ بر انتقال حرارت جابجایی اجباری در دو حالت تکفازی و دوفازی با روش حجم محدود۲ مورد ارزیابی قرار گرفته است. نتایج نشان میدهد که اعمال میدان مغناطیسی با هرکدام از مدلهای نیرو، در مقیاسهای متفاوتی باعث افزایش ضریب انتقال حرارت نسبت به حالت بدون میدان میشود. این مقادیر، با افزایش عدد رینولدز روند نزولی پیدا میکنند. همچنین روش تک فازی مقادیر افزایش انتقال حرارت بیشتری نسبت به روش دوفازی پیش بینی میکند.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
