بررسی تاثیر نیروهای مغناطیسی خارجی در رسوب دهی الکتروشیمیایی نانوسیم ها و نانو میله های کبالت

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بررسی تاثیر نیروهای مغناطیسی خارجی در رسوب دهی الکتروشیمیایی نانوسیم ها و نانو میله های کبالت دارای ۱۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بررسی تاثیر نیروهای مغناطیسی خارجی در رسوب دهی الکتروشیمیایی نانوسیم ها و نانو میله های کبالت  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی تاثیر نیروهای مغناطیسی خارجی در رسوب دهی الکتروشیمیایی نانوسیم ها و نانو میله های کبالت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بررسی تاثیر نیروهای مغناطیسی خارجی در رسوب دهی الکتروشیمیایی نانوسیم ها و نانو میله های کبالت :

تعداد صفحات :۱۴

چکیده مقاله:

رسوب دهی الکتروشیمیایی با استفاده از جریان متناوب یکی از روش های مهم جهت ایجاد نانوسیم های مغناطیسی در داخل تمپلیت اکسید آندی آلومینیوم ( AAO ) به دلیل حضور لایه مانع در انتهای حفرات می باشد. ساختار کریستالوگرافی نانوسیم های کبالت از نوع hcp بوده است که دارای جهت گیری ترجیهی در راستای جهت [۰۰۲] عمود بر محور نانوسیم می باشد. در این مطالعه براساس نمودارهای زمان جریان بدست آمده در حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی خارجی مشخص گردید که در حضور میدان، نرخ های رسوب دهی فلز با دانسیته شار مغناطیسی افزایش می یابد که این پدیده به واسطه همرفت نیروی لورنتس ایجاد می شود، یعنی اثر هیدرودینامیک مغناطیسی، که انتقال جرم یون های فلزی اطراف سطح الکترود را افزایش داده و حفره ها سریع تر پر می شوند. این درحالی است که در حالت بدون میدان مغناطیسی این فرایند ( پر شدن حفرات ) در حدود دو برابر زمان حالت اول صورت می گیرد. با توجه به خواص مطلوب نانوسیم های کبالت، مانند مغناطش و دمای کوری بالا و خصوصیات مناسب تمپلیت های اکسید آلومینیوم منظم آرایه نانوسیم های کبالت خالص در حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی خارجی رسوب دهی گردید و بعد از انحلال تمپلیت و تهیه الگوی پراش اشعه ایکس، کاهش شدت پیک ( ۰۰۲ ) مربوط به نمونه های سنتز شده در حضور میدان مغناطیسی نشان دهنده چرخش و جهت گیری کریستالی نانوسیم های کبالت از راستای عمود به محور چرخش به راستای موازی با محور نانوسیم ها می باشد.